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元件参数资料
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参数目录40293
> ALD110900SAL MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
型号:
ALD110900SAL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Advanced Linear Devices Inc
描述:
MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ALD110900SAL PDF
产品目录绘图
8-Pin SOIC Package
标准包装
50
系列
THRESHOLD™, EPAD®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
500 欧姆 @ 4V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
20mV @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOIC
包装
管件
其它名称
1014-1033
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